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1.早期石英坩堝 早期的石英坩堝是全部透明的，早期的石英坩堝是全部的透明的結構，這種透明的結構卻容易引起導致不均勻的熱傳(chuan) 輸條件，增加晶棒生長的困難度。所以這種坩堝基本被淘汰使用。
2.現代的石英坩堝 現代拉單晶的石英坩堝一般是采用電弧法生產(chan) ，半透明狀，是拉製大直徑單晶矽，發展大規模集成電路必不可少的基礎材料 現代的石英坩堝則存在二種結構，外側(ce) 是一層具有高氣泡密度的區域，稱為(wei) 氣泡複合層，內(nei) 側(ce) 則是一層3~5mm的透明層，稱之為(wei) 氣泡空乏層。氣泡複合層的目的是在與(yu) 均勻的輻射有加熱器所提供的輻射熱源。氣泡空乏層的目的在於(yu) 降低與(yu) 溶液接觸區域的氣泡密度，而改善單晶生長的成功率及晶棒品質。
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